科创芯片ETF指数受国产替代及扩产利好提振 涨近4%

【科创芯片ETF指数受国产替代及扩产利好提振 涨近4%】消息面上,1)中信电子报告指出刻蚀设备需求受DUV多重图案化、三维堆叠存储及GAA晶体管技术驱动,国内半导体设备国产化率或从20%增至60%-100%,利好中微公司等设备厂商;2)台积电宣布在美国及日本扩产先进制程晶圆厂,2023年资本支出达320-360亿美元,强化全球芯片代工主导地位;3)NV正交背板传闻不实,相关测试及送样进展顺利,预计明年6月供货,推动PCB及连接器价值量提升。

【科创芯片ETF指数受国产替代及扩产利好提振 涨近4%】消息面上,1)中信电子报告指出刻蚀设备需求受DUV多重图案化、三维堆叠存储及GAA晶体管技术驱动,国内半导体设备国产化率或从20%增至60%-100%,利好中微公司等设备厂商;2)台积电宣布在美国及日本扩产先进制程晶圆厂,2023年资本支出达320-360亿美元,强化全球芯片代工主导地位;3)NV正交背板传闻不实,相关测试及送样进展顺利,预计明年6月供货,推动PCB及连接器价值量提升。

来源: 东方财富网
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